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    LEDinside: 從眾廠商布局看Micro LED發展趨勢

    來源:LEDinside 時間:2019-02-11 15:07 [編輯:cnledw_bj] 【字體: 】 我來說兩句

    根據集邦咨詢LED研究中心(LEDinside)最新報告《2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術報告》,Micro LED技術發展早期以專利布局為主,以SONY、CREE及University of Illinois為最早布局的廠商及研究機構,直至2014年因APPLE收購LuxVue之后,進而帶動其他業者加速發展Micro LED領域。另外,全世界不同區域廠商對于Micro LED布局也有不同的策略及發展。比如臺廠以專業代工為主;韓廠以策略合作方式發展;日廠以集團內發展為主;歐美廠商多半以新創公司及學術機構布局于該領域;中國大陸廠商則發展較慢,多半處于研究與評估階段。
     
    Micro LED發展歷程

    Micro LED的發展,早期以專利布局為主,在2000年至2013年期間屬于“萌芽期”,市場需求不明下僅有少數先驅者進行專利的布局,以SONY、Cree及University of Illinois為最早布局的廠商及研究機構, 2014年之后躍入“成長期”,主要原因是來自于APPLE收購LuxVue之后,并且展現出對于Micro LED顯示技術的信心,進而帶動其他業者及新創公司的加速投入。包括Uniqarta、PlayNitride、Rohinni、Mikro Mesa、QMAT、VUEREAL等,這兩年來已經出現面板廠的專利布局,比如AUO、BOE 、 CSOT等。其中,在眾多Micro LED的專利申請中,前三大專利的技術為巨量轉移技術、顯示模組技術及芯片制程技術,合計占所有專利的80%。

    Micro LED供應鏈與廠商布局分析

    而這幾年來國際大廠也紛紛加入Micro LED的技術開發,大多是以購并、成立公司內部新事業單位或新創公司的方式,來進行Micro LED的發展,這些公司以本身既有的專精領域來做垂直或橫向的發展,大致可以分為LED磊晶、轉移、面板及品牌等方面,在LED磊晶方面,主要以LED磊晶廠發展最適合,而巨量轉移部份是技術門檻也是較多廠商投入的領域。中國大陸、中國臺灣、韓國、日本及歐美的廠商對Micro LED布局程度也有所不同,比如:中國臺灣廠商多半是以專業代工為主,包括友達光電,晶元光電,以及PlayNitride等公司,都與國際大廠進行深入的合作。

    中國大陸廠商在Micro LED的發展腳步較慢。最主要原因中國大陸廠商偏好能夠快入導入量產的技術。因此對于Micro LED技術多半處于研究與評估階段。但部分廠商已經悄悄布局與投資。

    韓國廠商在顯示器領域的技術布局完整。但是由于韓國廠商的主要資源均集中于OLED產品上,因此對于Micro LED技術則是采取策略合作的方式來參與該技術的開發與研究。

    日本廠商在Micro LED領域,以SONY最為領先,并且布局完整。但是由于日本廠商的供應鏈相對封閉,并且多半在集團內自制完成。因此其他的日本廠商主要是以設備商,或是材料商才有辦法參與其中。而值得關注的是,日韓廠商由于本身在大尺寸的電視領域已占據主導地位,因此多半聚焦在大尺寸Micro LED顯示器技術的開發。

    歐美廠商多半以新創公司以及學術機構布局于該領域。近年來隨系統大廠逐漸投入開發該技術,并且透過轉投資與收購的方式進行專利布局在巨量轉移的領域。至于面板領域,則是由于面板的投資金額過高,因此主要與亞洲的面板廠商進行合作開發。特別是歐美廠商主要聚焦在中小尺寸的Micro LED顯示應用,如手機、投影與穿戴裝置,因此技術局領域多朝此方面發展。

    2019年1月LEDinside針對于2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術進行分析。如需詳細資料,歡迎來電或來信。謝謝您!

    LEDinside 2019 Micro LED次世代顯示關鍵技術報告
    出刊時間:2019年01月31日
    檔案格式:PDF 
    報告語系:繁體中文 /英文
    頁數: 213
    季度更新:Micro / Mini LED市場觀點分析 - 廠商動態、新技術導入、Display Week / Touch Taiwan展場直擊(2019年3月、6月、9月;約計10-15頁/季)



    第一章 Micro LED定義與市場規模分析

    Micro LED產品定義
    Micro LED產值分析與預測
    Micro LED產量分析與預測
    Micro LED市場產量分析
    Micro LED Display滲透率預測

    第二章 Micro LED應用產品與技術發展趨勢

    Micro LED應用產品總覽
    Micro LED產品應用規格總覽
    Micro LED應用產品 - 頭戴式裝置規格發展趨勢
    Micro LED應用產品 - 頭戴式裝置成本分析
    Micro LED應用產品 - 頭戴式裝置出貨量與時程表預估
    Micro LED應用產品 - 穿戴式裝置規格發展趨勢
    Micro LED應用產品 - 穿戴式裝置成本分析
    Micro LED應用產品 - 穿戴式裝置出貨量與時程表預估
    Micro LED應用產品 - 手持式裝置規格發展趨勢
    Micro LED應用產品 - 手持式裝置成本分析
    Micro LED應用產品 - 手持式裝置出貨量與時程表預估
    Micro LED應用產品 - IT裝置規格發展趨勢
    Micro LED應用產品 - IT 顯示器裝置成本分析
    Micro LED應用產品 - IT裝置出貨量與時程表預估
    Micro LED應用產品 - 車用顯示器規格發展趨勢
    Micro LED應用產品 - 車用顯示器裝置成本分析
    Micro LED應用產品 - 車用顯示器出貨量與時程表預估
    Micro LED應用產品 - 電視顯示器規格發展趨勢
    Micro LED應用產品 - 電視顯示器裝置成本分析
    Micro LED應用產品 - 電視出貨量與時程表預估
    Micro LED應用產品 - LED顯示屏規格發展趨勢
    Micro LED應用產品 - LED顯示屏裝置成本分析
    Micro LED應用產品 - LED顯示屏出貨量與時程表預估

    第三章 Micro LED專利布局分析

    2000-2018 Micro LED專利布局 - 歷年專利家族分析
    2000-2018 Micro LED專利布局 - 區域分析
    2000-2018 Micro LED專利布局 - 技術分析
    2000-2018 Micro LED專利布局 - 廠商分析
    2001-2018 Micro LED專利布局 - 歷年巨量轉移技術專利家族分析
    巨量轉移技術 - 專利技術總覽
    巨量轉移技術 - 專利技術分類
    2001-2018 Micro LED專利布局 - 巨量轉移技術專利家族分析
    巨量轉移技術 - 品牌廠商技術布局分析
    巨量轉移技術 - 新創公司與研究機構技術布局分析

    第四章 Micro LED技術瓶頸與解決方案

    Micro LED產業技術總覽分析
    Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 制造流程
    Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - LED磊晶與芯片制程
    Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 轉移技術/黏接技術/驅動與背板技術

    第五章 磊晶技術瓶頸與挑戰分析

    磊晶技術 - 解決方案
    磊晶技術 - 磊晶架構與發光原理
    磊晶技術 - 磊晶發光層材料與光效
    磊晶技術 - 芯片微縮化的漏電問題造成光效降低
    磊晶技術 - 設備技術分類
    磊晶技術 - 設備技術比較
    磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類
    磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 波長均一性
    磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 磊晶缺陷控制
    磊晶技術 - 外延片關鍵技術分類 - 磊晶外延片的利用率提升
    磊晶技術 - 適用性分析

    第六章 芯片制程技術瓶頸與挑戰分析

    芯片制程技術 - LED芯片微縮的發展
    芯片制程技術 - LED芯片生產流程
    芯片制程技術 - 水平,覆晶與垂直芯片結構性之差異
    芯片制程技術 - 微型化LED芯片(含藍寶石基板)切割技術
    芯片制程技術 - 微型化LED芯片(不含藍寶石基板)切割技術
    芯片制程技術 - 激光剝離基板技術
    芯片制程技術 - 弱化結構與絕緣層
    芯片制程技術 - 弱化結構設計
    芯片制程技術 - 巨量轉移頭設計
    芯片制程技術 - 傳統LED與Micro LED芯片制程差異

    第七章 巨量轉移技術瓶頸與挑戰分析

    巨量轉移技術 - 轉移技術分類
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術分類
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 拾取放置技術流程
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 非選擇性拾取技術
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 選擇性拾取技術以提升晶圓利用率
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 修補應用上的選擇性拾取技術
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 影響產能的因素
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 大型轉移頭尺寸提升產能的方案
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移頭精準度要求更高
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移次數和晶圓利用率比較
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 轉移運轉周期與產能比較
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術:Apple (LuxVue)
    靜電吸附+相變化轉移方式
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術:Samsung
    芯片轉移與翻轉方式
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 凡得瓦力轉印技術介紹
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:X-Celeprint
    凡得瓦力轉印方式
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:ITRI
    電磁力轉移方式
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹: Mikro Mesa
    利用黏合力與反作用力轉移技術
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:AUO
    靜電吸附力與反作用力方式
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:VueReal
    Solid Printing技術
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:Rohinni
    頂針對位轉移技術
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 流體組裝技術流程
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:eLux
    流體裝配方式
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:PlayNitride
    流體分散轉印技術
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 激光轉移技術流程
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 激光轉移技術分類
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:Sony
    激光轉移技術
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:QMAT
    BAR轉移方式
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:Uniqarta
    多光束轉移技術
    巨量轉移技術-薄膜轉移技術介紹:OPTOVATE
    Laser Lift-off (ρ-LLO)Technology
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術 - 滾軸轉寫技術流程
    巨量轉移技術 - 薄膜轉移技術介紹:KIMM
    滾軸轉寫技術
    巨量轉移技術 - Micro LED巨量轉移技術上面臨七大挑戰
    巨量轉移技術 - 轉移制程良率取決于制程能力的控制
    巨量轉移技術 - 適用性分析

    第八章 檢測技術瓶頸與挑戰分析

    Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 檢測技術流程
    檢測技術 - 檢測方式
    檢測技術 - 電特性檢測
    檢測技術 - 電致發光(EL)原理
    檢測技術 - 光特性檢測
    檢測技術 - 光致發光(PL)原理
    檢測技術 - 巨量檢測技術總覽
    巨量檢測方式 - 光致發光檢測技術
    巨量檢測方式 - 數碼相機光電檢測技術
    巨量檢測方式 - 接觸式光電檢測技術
    巨量檢測方式 - 非接觸式光電檢測技術
    巨量檢測方式 - 非接觸式EL檢測技術
    巨量檢測方式 - 紫外線照射光電檢測技術
    巨量檢測技術差異性比較

    第九章 維修技術瓶頸與挑戰分析

    Micro LED技術瓶頸與解決方案總覽 - 維修技術
    Micro LED維修技術方案
    維修技術方案 - 紫外線照射維修技術
    Micro LED的壞點維修流程
    維修技術方案 - 紫外線照射維修技術
    壞點維修技術分析
    維修技術方案 - 紫外線照射維修技術
    轉移頭拾取之過程
    維修技術方案 - 激光熔接維修技術
    維修技術方案 - 選擇性拾取維修技術
    維修技術方案 - 選擇性激光維修技術
    維修技術方案 - 備援電路設計方案
    Micro LED的主動缺陷偵測設計

    第十章 全彩化技術瓶頸與挑戰分析

    全彩化技術解決方案種類
    全彩化技術解決方案 - RGB芯片色彩化技術
    全彩化技術解決方案 - RGB在相同晶圓上的量子光子成像
    (Qantum Photonic Imager ; QPI)
    全彩化技術解決方案 - 量子點的色轉換技術
    全彩化技術解決方案 - 量子點色轉換技術與應用
    全彩化技術解決方案 - 量子井的色轉換技術
    全彩化技術解決方案 - 總覽
    全彩化技術解決方案 - 適用性分析

    第十一章 接合技術瓶頸與挑戰分析

    接合技術 - 技術分類
    接合技術 - 表面黏著技術方案
    接合技術 - 共晶波焊組裝技術方案
    接合技術 - 異方性導電膠(ACF)方案
    接合技術 - 異方性導電膠水(SAP)方案
    接合技術 - 晶圓結合技術(Wafer Bonding)方案
    接合技術 - 晶圓接合 (Wafer Bonding) 困難度分析
    接合技術 - Micro TUBE方案
    接合技術 - 技術困難度分析
    接合技術 - 適用性分析

    第十二章 驅動技術瓶頸與挑戰分析

    驅動技術 - 驅動方案分類
    驅動技術 - 驅動IC的重要性
    驅動技術 - LED的伏安特性與光通量關系
    驅動技術 - 開關電源控制技術分類
    驅動技術 - 開關電源控制PWM與Duty Cycle的關系
    驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 主動式驅動與被動式驅動比較
    驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 掃描方式與畫面更新率
    驅動技術 - 顯示屏驅動方案 - 小間距顯示屏問題點分析
    驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 液晶顯示器之驅動架構
    驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 主動式驅動 V.S 被動式驅動
    驅動技術 - TFT薄膜電晶體 - 影響顯示品質之干擾因素分析
    驅動技術 - OLED驅動方案 - OLED的光電特性
    驅動技術 - OLED驅動方案 - 被動式驅動
    驅動技術 - OLED驅動方案 - 主動式驅動
    驅動技術 - Micro LED驅動方案 - 被動式驅動
    驅動技術 - Micro LED驅動方案 - 主動式驅動
    OLED顯示器 vs Micro LED顯示器電源驅動模組差異性

    第十三章 驅動技術瓶頸與挑戰分析

    背板技術 - 顯示器背板的架構
    背板技術 - 背板材料的分類
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板與畫素開關元件運作原理
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板與畫素開關元件特性
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板的尺寸發展
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板脹縮挑戰
    背板技術 - 整合式背板-玻璃基板搭配開關元件應用現況
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件架構
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板a-Si畫素開關元件制程
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板IGZO畫素開關元件制程
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板LTPS畫素開關元件制程
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件解析度差異
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件功耗差異
    背板技術 - 整合式背板 - 玻璃基板畫素開關元件漏電性差異
    背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板基板與畫素開關元件特性
    背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板制作流程
    背板技術 - 整合式背板 - 可撓式基板材料特性
    背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板架構
    背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板制作流程
    背板技術 - 整合式背板 - Silicon背板材料特性
    背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板外觀架構
    背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板結構
    背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板基材熱效應
    背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板基材差異性比較
    背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板制作挑戰
    背板技術 - 非整合式背板 - 印刷電路板尺寸限制
    背板技術差異性比較
    背板技術 - 適用性分析

    第十四章 Micro LED供應鏈與廠商布局分析

    全球Micro LED主要廠商供應鏈分析
    區域廠商產品策略與開發動態分析 - 中國臺灣廠商
    區域廠商產品策略與開發動態分析 - 中國大陸廠商
    區域廠商產品策略與開發動態分析 - 韓國廠商
    區域廠商產品策略與開發動態分析 - 日本廠商
    區域廠商產品策略與開發動態分析 - 歐美廠商

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